Les modules de détecteurs silicium à micropistes

Les détecteurs silicium à micropistes du trajectographe avant de CMS ont les caractéristiques suivantes :

• un ou deux substrats trapézoïdaux en silicium de type n de 320 et 500 $\mu m$ d'épaisseur, fortement dopé p (couche de 1 $\mu m$) au niveau des pistes et fortement dopé n (couche de 1 $\mu m$) sur toute le face arrière du substrat;
• une basse résistivité (entre 1,5 et 3 k$\Omega$ cm) pour les substrats de 320 $\mu m$ d'épaisseur et une résistivité légèrement plus élevée (entre 4 et 8 k$\Omega$ cm) pour les substrats de 500 $\mu m$ d'épaisseur;
• 512 ou 768 pistes (selon le type de module : simple ou double face) en aluminium de 18-35 $\mu m$ de large, espacées de 89 à 205 $\mu$m et satisfaisant la condition $\frac{\text{largeur de la piste}}{\text{pas entre les pistes}}=0,25$;
• la polarisation du détecteur se fait par l'intermédiaire d'une résistance implantée en polysilicium avec $R_{polysilicium} = 2,0 \pm 0,6 M \Omega$.

Figure: Photographie d'un détecteur silicium.